Новини

У НВП «Карат» розроблена технологія кристалізації гетероструктур InP - InGaAsP для світловипромінюючих діодів

29.03.2013

У результаті науково-дослідних робіт у НВП «Карат розроблена технологія кристалізації гетероструктур InP – InGaAsP, призначених для світлодіодів ближнього інфрачервоного діапазону з довжиною хвилі генерації 1,06 мкм.

Діоди, що випромінюють в інфрачервоній області спектру, застосовуються у радіоелектронній апаратурі різного призначення – медичній та військовій техніці, у системах моніторингу оточуючого середовища, охоронних системах та в іншій апаратурі.

Важливими характеристиками для цих приладів є швидкодія і потужність випромінювання, здатність інфрачервоних діодів працювати у широкому діапазоні робочих температур – від -60 до +70 °С.

Виготовлення та випробування дослідної партії  інфрачервоних світлодіодів здійснено у СКБ «Ритм» (м. Чернівці).

версія для друку