Монокристали складних оксидів

Унікальне високотехнологічне обладнання НВП «Карат» дозволяє проводити розробки технологій одержання нових монокристалічних матеріалів, починаючи з підготовки сировинних матеріалів і закінчуючи виготовленням робочих елементів пристроїв з монокристалів і плівок, та налагоджувати в подальшому їх промисловий випуск.


Вісім установок «Galaxie Mark III» дільниці монокристалів складних оксидів забезпечують можливості:

- вирощування кристалів складних оксидних сполук із температурою плавлення до 2000 С;

- одержання кристалів діаметром до 110 мм і вагою до 40 кг;

- контроль маси кристалу, що росте, ваговим методом;

- проведення технологічних процесів у різноманітних газових середовищах;

- комп’ютерне управління процесом вирощування.


Фахівцями та науковцями підприємства розроблені вітчизняні технології одержання низки монокристалів великих розмірів:

- бездефектних кристалів гадоліній-галієвого гранату діаметром до 110 мм і вагою понад 16 кг, що широко використовуються в якості підкладкових матеріалів для одержання тонких плівок в магнітоелектроніці;

- чистих та легованих кристалів ніобату і танталату літію діаметром до 90 мм – найпоширеніших матеріалів, що використовується в акустоелектроніці, акустооптиці, інтегральній оптиці, пристроях нелінійної оптики тощо;

- сцинтиляційних кристалів вольфраматів і молібдатів свинцю, кальцію та кадмію для виготовлення високоефективних твердотільних реєстраторів високоенергетичних випромінювань в фізиці високих енергій, медичній рентгенівській томографії, приладах контролю радіоактивного забруднення повітря, води і продуктів харчування тощо;

- кристалів з групи алюмінієвих гранатів та перовскитів, легованих рідкісноземельними елементами, для твердотільних лазерів медичного, технологічного та загальнотехнічного застосування;

- кристалів рідкісноземельних галатів як підкладок для одержання монокристалічних плівок високотемпературних надпровідників тощо.


Вирощені монокристали проходять прецизійну механічну обробку на спеціалізованій дільниці, розташованій у чистому приміщенні класу «10000».

 

Дільниця укомплектована устаткуванням фірми «Logitech» (Велика Британія), спеціально призначеним для оброблення пласких поверхонь монокристалічних оптичних блоків та стержнів і дозволяє досягати площинності в десяті долі довжини хвилі і відхилення від паралельності робочих граней не більше 5 кутових секунд.

 

Контроль експлуатаційних параметрів активних елементів оптоелектронних пристроїв та властивостей матеріалів провадиться на лабораторних стендах за розробленими методиками для контролю люмінесцентних та абсорбційних властивостей матеріалів, генераційних властивостей лазерних елементів, параметрів лазерного пучка, спотворення фронту світлової хвилі під час її проходження крізь оптичні елементи, експлуатаційних параметрів акусто-, електро-, нелінійно-оптичних пристроїв тощо.

 

Контрольні лабораторії дільниці укомплектовані обладнанням фірм «Ekspla» (Литва), «Gentec» (Канада), «Rohde&Szwarz» (Німеччина), «Linkam» (Велика Британія) «Stanford Research» (США), «Shimadzu» (Японія).



версія для друку